一种改进的测定马氏体惯析面的方法

【作者】 朱伟光； 江伯鸿； 徐祖耀；

【机构】 上海交通大学；

【摘要】 <正> 用透射电镜测定惯析面通常有两种方法:一是通过测定样品薄膜的有效厚度求惯析面与膜面之间的夹角;另一为edge—on方法,即沿样品倾斜轴把马氏体惯析面倾斜到与入射电子束方向平行,由此测出惯析面与薄膜之间夹角,即可求出惯析面。前者由于膜厚较难精确测定,由此引入较大的实验误差,估计测量精度约±5°;而后者如果惯析面接近平行于膜面时,倾斜惯析面到投影宽度为最小时电子束穿透样品的有效厚度大为增加,成象模糊或电子束穿不透样品,使测量工作难以或无法进行。本文在上述两种实验方法的基础上,提出一种较为方便而准确地测定惯析面的方法,并用此法测定了Cu—26.71Zn—4.15Al形状记忆合金马氏体惯析面,实验结果与由马氏体相变晶体学表象理论计算的结果符合较好。测定方法原理如图1所示。B为入射电子束,FN为薄膜法线,L为惯析面与膜面交线(迹线),N为惯析面法线,a为惯析面与薄膜横截面交线,β,β′分别为初始与倾斜a角后惯析面与B方向的夹角,b,b′为对应的惯析面投影宽度。由图1可得到β角公式为:更多还原