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蓝宝石—硅(SOS)界面的高分辨电子显微象
【机构】 中国科学院半导体研究所； 中国科学院物理研究所；
【摘要】 <正> 蓝宝石—硅外延(SOS)材料具有低功耗和抗辐照等优点,在超大规模集成电路方面有很好的应用前景。由于硅外延层和蓝宝石衬底之间晶面间距失配较大(约10%),在界面处存在高密度的缺陷。研究这种缺陷的性质及其形成机理,对控制和消除这些缺陷提高SOS材料的完整性是很有意义的。近几年有一些关于用高分辨电子显微术研究这种缺陷的报导。由于制样技术的困难,这方面的工作开展不多。本文报导我们在获得SOS界面的HREM象方面的进展情况。SOS样品用硅烷热分解法在980℃沉积在直拉法生长的蓝宝石单晶衬底上。衬底表面为{1102}面,硅外延
- 【会议录名称】 第三次中国电子显微学会议论文摘要集（二）
- 【会议名称】第三次中国电子显微学会议
- 【会议时间】1983
- 【会议地点】中国北京
- 【分类号】TN304.12;TN16
- 【主办单位】中国电子显微镜学会