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用电子束蒸发方法制备Ni80Fe20薄膜
【作者】 吴平； 李希； 高艳清； 邱宏； 王凤平； 潘礼庆； 田跃；
【机构】 北京科技大学物理系；
【摘要】 薄膜在室温下具有较高的各向异性磁电阻比,可广泛应用于磁性记录和磁传感器.本文研究了用电子束蒸发方法制备Ni80Fe20薄膜的工艺条件对薄膜磁电阻特性的影响,获得了制备各向异性磁电阻比达3%-4%的Ni90Fe20薄膜的工艺条件.
【关键词】 Ni80Fe20薄膜；
磁电阻；
电子束蒸发；
【基金】 北京科技大学教研基金资助
- 【会议录名称】 2005年全国高校非物理类专业物理教育学术研讨会论文集
- 【会议名称】2005年全国高校非物理类专业物理教育学术研讨会
- 【会议时间】2005-07
- 【会议地点】中国山东青岛
- 【分类号】O484.43-33
- 【主办单位】教育部高等学校非物理类专业物理基础课程教学指导分委员会、《物理与工程》编辑部