【作者】 程光煦； 陈坤基； 何宇亮； 张维； 夏华； 张杏奎；

【Author】 Cheng Guangxu,Chen Kunji,He Yuliang,Zhang Wei,Xia Hua,Zhang Xingkui (Center of Materials Analysis* and National Laboratory of Solid State Microstructures+,Nanjing University,Nanjing,210008)

【机构】 南京大学现代分析中心； 南京大学固体微结构物理国家实验室；

【摘要】 <正>喇曼光谱已为无序结构材料(如非晶硅,锗)提供了丰富的微结构信息,但多半是定性的内容.随着无序结构材料研究的深入,日趋需要有定量的研究,喇曼谱为此提供了必要的信息量,致使定量地研究这类材料亦日趋可能.通常被认为是固定的局域有序结构随固体形成的条件变化而改变,这些变化又涉及到固体物理性质的变化。更多还原

【Abstract】 Nearly two decades of research of Raman spectra for disorder,amorphous, non-crystal of silicon have been discussed in the paper.A series of parameters related to microstructures(△d,△θ,U,σ,C) are able to obtained from Г,the HWHM of the TO-like mode and the position of the peak in Haman spec -tra for the disorder materials(including multilayer and single thick films ).We discuss and analysis these results,and point out their applications too.更多还原