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纳米电子器件用新型Al2O3高K介电薄膜材料制备
【机构】 中国科学院半导体研究所；
【摘要】 <正> 随着集成度不断提高,集成电路将进入小于100nm制造技术水平,材料、器件工艺制造技术将面临许多新的挑战。传统的厚度为1-2nmSiO2超薄栅介质将主要面临三方面的限制:高栅漏电流、栅氧化物击穿下降和沟道迁移率降低等可靠性问题。因此,寻找替代的新型高K栅介电材料是解决目前集成电路所遇到的纳米尺度物理
【关键词】 Al2O3；
高K介电材料；
MOCVD(有机金属化学气相淀积)；
【基金】 国家高技术研究发展计划“863”纳米专项资助项目(2003AA302770)。
- 【会议录名称】 科技、工程与经济社会协调发展——中国科协第五届青年学术年会论文集
- 【会议名称】中国科协第五届青年学术年会
- 【会议时间】2004
- 【分类号】TN405
- 【主办单位】中国土木工程学会