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AlAs湿氧化后的微区拉曼光谱
【作者】 焦鹏飞； 程磊； 陈娓兮； 王舒民； 李红东； 张树霖；
【机构】 北京大学物理系；
【摘要】 <正>半导体垂直腔面发射激光器(VCSELs)近几年来取得了很大的进展,其重要的原因就是引入了高铝组分的 AlGaAS 湿氧化技术。AlAs 选择性氧化所形成的电流窗口,其直径可降至～1μm,从而使 VCSELs 的阈值电流降至亚毫安以下,并增加了泵浦到有源区的效率,同时改普了输出激光模式,获得单模工作．由 AlAs 湿氧化后所形成的 AlO_x与 GaAS 构成的 DBR 反射镜,由于 AlO_x与 GaAs 的折射率反差增大,从而减少
【基金】 国家自然科学基金
- 【会议录名称】 第四届全国光学前沿问题研讨会论文摘要集
- 【会议名称】第四届全国光学前沿问题研讨会
- 【会议时间】1999-11
- 【会议地点】中国广西北海
- 【分类号】O433
- 【主办单位】中国光学学会基础光学专业委员会、中国物理学会光物理专业委员会