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用电子束反应蒸镀法制备的ZnO单晶薄膜的结构和光学特性
【机构】 浙江大学物理系；
【摘要】 利用电子束反应蒸镀技术在Si（OO1）衬底上低温外延生长了ZnO单晶薄膜。生长温度从125℃到420℃。最佳生长温度为200℃-300℃X射线衍射（XRD）分析显示ZnO薄膜具有高度c-轴取同,其衍射峰线宽比磁控溅射所得ZnO薄膜的线宽要小。结合光荧光谱（PL）和光荧光激发谱（PLE）的测量,观测到在ZnO薄膜中存在带边吸收和激子吸收。XRD和PLE分析还表明,虽然反应气氛中充O2对ZnO薄膜晶体结构的影响不明显,但能显著改善薄膜的光学性能。本文还对高质量ZnO薄膜低温外延生长的机制进行了讨论。
【基金】 国家自然科学基金(69606006);浙江省自然科学基金
- 【会议录名称】 华东三省一市第三届真空学术交流会论文集
- 【会议名称】华东三省一市第三届真空学术交流会
- 【会议时间】2000-06
- 【会议地点】中国江苏金坛
- 【分类号】TB43
- 【主办单位】江苏省真空学会、安徽省真空学会、浙江省真空学会、上海市真空学会