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高性能1．3μm InGaAsN量子阱半导体激光器
High Performance 1.3μm InGaAsN Quantum Well Semiconductor Lasers
【Author】 QU Yi ZHANG Jing LI Hui GAO Xin BO Bao-xue (National Key Laboratory on High Power Semiconductor Lasers.Changchun University of Science and Technology.Changchun,Jilin 130022,Chia)
【机构】 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室；
【摘要】 利用金属有机气相沉积(MOCVD)生长了 InGaAsN 量子阱半导体激光器材料,采用脉冲阳极氧化(PAO)技术制作了脊型波导半导体激光器。制作的条宽为100μm,腔长为1500μm 的激光器在室温下可实现最高962mW 的单面连续功率输出,阈值电流密度约为256 A/cm~2。在1．5A 电流下,激光器的峰值波长为1297 nm,最大斜率效率为0．42W/A。在20～80℃温度下,激光器的特征温度为138K。激光器在100℃下可以正常工作。
【Abstract】 InGaAsN triple-quantum-welt strain-compensated lasers grown by metal organic chemical vapor deposition were fabricated with pulsed anodic oxidation.Laser output power reached 962 mW in continuous wave mode at room temperature from 100μm stripe lasers with a wavelength of 1297 nm and a maximum slope efficiency of 0．42W/A at 1．5A current.The threshold current density was 256A/cm~2 The characteristic temperature of the lasers was 138 K in the linear region(20～80℃).The lasers operated up to 100℃.
【Key words】 laser technique； high power； InGaAsN quantum well； pulsed anodic oxidation； semiconductor laser；
- 【会议录名称】 第十七届全国激光学术会议论文集
- 【会议名称】第十七届全国激光学术会议
- 【会议时间】2005-10
- 【会议地点】中国四川绵阳
- 【分类号】TN248
- 【主办单位】中国光学学会、中国电子学会