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一种自适应衬底电压高效率CMOS倍压电荷泵

A high efficiency CMOS voltage doubler charge bump with self-adapted bulk

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【作者】 王永进兰中文余忠

【Author】 Wang Yongjin Lan Zhongwen Yu Zhong (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, UESTC, Chengdu, 610054)

【机构】 电子科技大学电子簿膜与集成器件国家重点实验室

【摘要】 本文基于对当前常用电荷泵的研究,提出了一种新颖的高效率CMOS电荷泵。采用简单的结构,克服了倍压电路中制约电荷泵效率的衬偏效应以及寄生三级管效应。而且在不需要附加的电容来保持衬底电位的同时,可以使实际的效率值最高达90%以上。

【Abstract】 Based on the two charge pump ,the paper proposed a novel high efficiency CMOS voltage doubter charge pump .The circuit proposed by this paper adopts simple structure to overcome bulk effect and parasitical bipolar effect which can lead efficiency lower .The circuit proposed don’t need capacitor to keep bulk voltage level and actual efficiency reaches 90% or above .

【关键词】 倍压电路电荷泵衬偏效应
【Key words】 Voltage doubler charge pump bulk effect
  • 【会议录名称】 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2006年度学术年会论文集
  • 【会议名称】四川省电子学会半导体与集成技术专委会2006年度学术年会
  • 【会议时间】2006-12
  • 【会议地点】中国四川成都
  • 【分类号】TN386
  • 【主办单位】四川省电子学会半导体与集成技术专委会、国家集成电路设计成都产业化基地、电子科技大学国家集成电路设计人才培养基地
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