FeS₂薄膜的正电子湮没初步研究

【作者】 张辉； 王宝义； 张仁刚； 曹兴忠； 张哲； 周春兰； 马创新； 魏龙；

【机构】 中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室；

【摘要】 <正> FeS2材料作为一种具有合适禁带宽度(Eg=0.95±0.15 eV)和较高光吸收系数(当入射光波长λ<900nm时,吸收系数a>6×105cm-1)的半导体材料,可以制作极薄的太阳能薄膜电池。作为一种极有发展潜力的太阳能电池材料,近年来受到广泛的重视。在硅衬底上制备FeS2薄膜,由于硅晶格常数与FeS2相差较小,失配度仅为2%,因此成薄质量较好。同时,单晶硅禁带宽度与FeS2相接近,用于制备迭层太阳能电池时,可以提高电池光电转换效率。因此,研究Si衬底上FeS2薄膜结构特征及缺陷,对制备异质结太阳电池具有指导意义。本文采用真空硫化Si(100)衬底上磁控溅射Fe膜的方法制备FeS2多晶薄膜,研究了不同硫化条件下薄膜的晶体结构和表面形貌,采用正电子湮没多普勒展宽能谱初步表征了其结构缺陷,有待进一步的系统研究。更多还原