慢正电子谱在功能薄膜研究中的应用

【作者】 郝维昌； 韦文生； 胡亚兰； 刁训刚； 王聪； 王天民； 周春兰； 魏龙；

【机构】 北京航空航天大学材料物理与化学研究中心； 中国科学院高能物理研究所和分析技术重点实验室；

【摘要】 <正> 正电子湮没是一项利用正电子与物质的相互作用来获得凝聚态物质的微观结构、电子动量分布及缺陷状态的实验技术。由于正电子对原子尺度上的缺陷,如空位、位错、微空洞等非常敏感,使得正电子成为微缺陷研究的灵敏探针。正电子湮没技术已经在固体物理、化学、医学、材料学等领域取得了广泛的应用。正电子湮没技术主要有寿命谱测量、多普勒展宽谱测量、角关联测量三种实验方法。正电子湮没辐射的角偏离和多普勒能移联系着被湮没电子的动能E和动量P,所以相应的谱分析是研究物质结构的重要手段。多普勒能移的大小与被湮没电子的动量在湮没光子飞行方向上的分量成正比,多普勒能移在γ谱仪上表现为多普勒展宽。能量连续可调的慢正电子束,通过改变其注入能量可注入到固体的更多还原