Bi基超导体掺杂效应的正电子湮没研究

【作者】 陈烽； 郑胜男； 张素群； 勾振辉； 李安利； 郭春生； 刘志毅； 赵忠贤； 朱升云；

【机构】 中国原子能科学研究院； 中国科学院物理所；

【摘要】 <正>采用正电子湮没方法研究了掺杂对 Bi 基超导体的高温超导电性的影响。实验用的三个样品掺 Sb 与（或）Pb,成分为,Bi_1．8Pb_0．1Sb_0．1Sr₂Ca₂Cu₃O_x（1#）,Bi_1．8Sb_0．2Sr₂Ca₂Cu₃O_x（2#）和 Bi_1．7Pb_0．2Sb_0．1Sr₂Ca₂Cu_2．8O_x（3#）,由固态反应方法制成。2#样品的主相 Tc=123K,说明单掺 Sb 能提高 Bi 基超导体的 Tc。从80K 到室温,对三个样品进行了正电子湮没寿命和多普勒展宽测量。实验结果表明,Sb 替更多还原