用RBS沟道和PIXE沟道相结合研究硅注入砷化镓单晶

【作者】 曹德新； 刘惠珍； 朱福英； 朱德彰；

【机构】 中国科学院上海原子核研究所；

【摘要】 <正>GaAs（100）单晶液氮温度下注入能量为48 KeV,剂量为3E15和5E1s Si⁺/cm²的硅。用 RBS-C 和 PIXE-C 来分析砷化镓中离子注入损伤和硅在材料中的位置和替位率。这两种方法同时测量弥补了单一方法的不足。为研究 GaAs 的再结晶和退火行为,实验中采用850°半小时氮气氛热退火。为避免砷化镓在退火过程中挥发和氧化,其表面生长了一层200nm 的 Si₃N₄膜,并用抛光硅片紧密接触其表面,这样保证了退火后其表面仍完好。更多还原