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Si〈111〉和(111)1Mev质子沟道效应研究
Channeling studies of lmev protons in silicon 〈111〉 axis and (111) plane.
【Author】 Guo Huachong He Fuqing Peng Xiufeng Wang Minhua.(IStitute of Nucloa(?) Science and Technology, of Sichuan University)
【机构】 四川大学原子核科学技术研究所;
【摘要】 <正>关于 Si 的沟道效应,国内外发表了很多文章,但缺少1Mev 质子 Si〈111〉的沟道实验数据,由于 Si〈111〉和(111)是不等晶格间距和不等晶面间距,使我们有兴趣来较深入地研究其沟道效应,文献①曾研究过金刚石型格点的〈111〉和〈110〉沟道。发现〈111〉和〈110〉的ψ1/2比理论计算低约25%。文献②研究了 Si(111)的面阻塞,发现了两个分开的极小值。
- 【会议录名称】 第五次核物理会议资料汇编(上册)
- 【会议名称】第五次核物理会议
- 【会议时间】1982-11
- 【会议地点】中国四川成都
- 【分类号】O641.1
- 【主办单位】中国核物理学会