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硅同质外延层的沟道效应研究
Channeling studies of the crystalline perlection of homoepitaxial silicon crystals.
【Author】 Wang Minhua Peng Xiufeng LONG Xian guan He Fuqing Guo Huachong (Institute of Nucleer Seienee and Technology,Sichuan University)
【机构】 四川大学原子核科学技术研究所；
【摘要】 <正>单晶外延生长技术在半导体领域内已得到广泛应用,为掌握高质量外延层的生长条件,必须研究在不同条件下得到的外延层中缺陷沿纵向分布情况。在这方面研究中,离子沟道效应就是一种十分有利的手段。
- 【会议录名称】 第五次核物理会议资料汇编（上册）
- 【会议名称】第五次核物理会议
- 【会议时间】1982-11
- 【会议地点】中国四川成都
- 【分类号】O572;O73
- 【主办单位】中国核物理学会