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〈100〉单晶Si薄膜的沟道一背散射研究
《Use of Channeling-Backseattering in the Studies of 〈100〉 thin Si crystal》
【Author】 Peng Xiu feng Long Xian guan He Fuqing Wang Minhua Guo Huachong.(Institute of Nuclear Science and Technology, Sichuan University)
【机构】 四川大学原子核科学技术研究所；
【摘要】 <正>迄今为止,国内外已利用沟道效应对单晶 Si 作了大量研究。而单晶硅薄膜,最近又在表面及介面科学中与沟道技术一起成为一种独特的研究手段。因此对 Si 薄膜本身的性质进行探讨仍然有其实际意义。
- 【会议录名称】 第五次核物理会议资料汇编（上册）
- 【会议名称】第五次核物理会议
- 【会议时间】1982-11
- 【会议地点】中国四川成都
- 【分类号】O484
- 【主办单位】中国核物理学会