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关于单晶硅的面沟道效应研究
Planar Channeling Study in Si Crystal
【Author】 Long Xianguan Wang Minhua Ho Fuqing Pen Xiufeng (Institute of Nuclear Science and Technology,Sichuan University)
【机构】 四川大学原子核科学技术研究所;
【摘要】 <正>在单晶硅中,(111)晶面方向存在两种不同的面间距 ap(a) 和 dp(d)=dp(b).Gemmell指出:可以予期在实验上能够观察到(111)面沟道有两个分量,其中一个比另一个具有较小ψ1/2士和较快的退道率等。最近,魏成连等报道了从粒子背散射堵塞效应实验中观察到单晶硅的(111)晶面粒子堵塞坑有两个坑的新现象。如果这一现象的确是由于(111)晶面有两种不相等的面间
- 【会议录名称】 第五次核物理会议资料汇编(上册)
- 【会议名称】第五次核物理会议
- 【会议时间】1982-11
- 【会议地点】中国四川成都
- 【分类号】O73
- 【主办单位】中国核物理学会