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用一般单晶硅研制超薄型探测器
Development of Superthin Detectors Using Common Silicon Crystal
【Author】 Wang Zhusheng Chao Zhiyuan Xu Jinlan (Institute of Modern Physics, Academia Sinica, Lanzhou,730000)
【机构】 中国科学院近代物理研究所;
【摘要】 本文介绍了利用一般单晶硅材料制作的超薄型Au—Si面垒ΔE探测器。厚度5.3~11.4 μm,灵敏面积为 28~113mm2,对于8.78 MeVα粒子的能损ΔE的分辨为54~85 keV,该探测器成功地应用在核物理实验中。
【Abstract】 Development of superthin Au-Si surface barrier ΔE detectors using common silicon cprystal with thickness of 5.3 to 11.4 μm and an active area of 28 to 113mm2 have been described. The betectors have been used successfully in nuclear physics experiment.
- 【会议录名称】 第8届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集(一)
- 【会议名称】第8届全国核电子学与核探测技术学术年会
- 【会议时间】1996-12
- 【会议地点】中国广东珠海
- 【分类号】TL814
- 【主办单位】中国电子学会核电子学与核探测技术分会、中国核学会核电子学与核探测技术分会