【作者】 王柱生； 晁致远； 许金兰；

【Author】 Wang Zhusheng Chao Zhiyuan Xu Jinlan (Institute of Modern Physics, Academia Sinica, Lanzhou,730000)

【机构】 中国科学院近代物理研究所；

【摘要】 本文介绍了利用一般单晶硅材料制作的超薄型Au—Si面垒ΔE探测器。厚度5．3～11．4 μm,灵敏面积为 28～113mm2,对于8．78 MeVα粒子的能损ΔE的分辨为54～85 keV,该探测器成功地应用在核物理实验中。更多还原

【Abstract】 Development of superthin Au-Si surface barrier ΔE detectors using common silicon cprystal with thickness of 5.3 to 11.4 μm and an active area of 28 to 113mm2 have been described. The betectors have been used successfully in nuclear physics experiment.更多还原