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Si1-xGex/Si表面合金结构的掠入射X射线衍射（GIXRD）研究
Grazing incidence X-ray diffraction （GIXRD） studies of the structureof Si1-xGex/Si surface alloy
【Author】 Y.Shi, R.Zhao, C.Z.Jiang (Department of Physics, Wuhan University, Wuhan 430072, Hubei Province)
【机构】 武汉大学物理科学与技术学院；
【摘要】 在一台三圆X射线衍射仪上,采用掠入射X射线衍射（GIXRD）技术,对在单晶Si（001）衬底上用分子束外延方法生长的不同组份、不同退火条件下的50厚的Si1-xGex合金层进行了表面结构分析。研究发现:对外延生长后未退火的SiGe合金样品,随着Ge含量的增加表面合金的晶格膨胀、结构驰豫加剧;对相同Ge含量的合金样品,退火时间t和退火温度T的增加都导致驰豫峰变窄、合金结构均匀化,表明适宜的退火条件可使SiGe表面合金的内应力得到释放、应变结构均匀稳定。
【Abstract】 The surface structural analyses of Si1-xGex/Si（001） surface alloy are made on a triple-axis diffractometer using an X-ray rotating anode generator. The Si1-xGex/Si alloy samples （x=0. 3, 0. 4 and 0. 5）, which are prepared by solid source MBE and have-the thickness of 50, are annealed under several conditions. It has been found that with the increase of annealing time and temperature, the strained epitaxial layers relaxed by the lateral elastic relaxation, which was deduced from the measurement of the （220） bulk peak diffraction obtained by GIXRD.
【Key words】 SiGe surface alloy； grazing incidence X-ray diffraction (GIXRD)； surface structure；
- 【会议录名称】 湖北省物理学会、武汉物理学会成立70周年庆典暨2002年学术年会论文集
- 【会议名称】湖北省物理学会、武汉物理学会成立70周年庆典暨2002年学术年会
- 【会议时间】2002-10
- 【会议地点】中国武汉
- 【分类号】O482.3
- 【主办单位】湖北省物理学会、武汉物理学会