【作者】 何知宇； 赵北君； 朱世富； 任锐； 温才； 叶林森； 钟雨航； 王立苗； 杨慧光；

【Author】 HE Zhi-yu ZHAO Bei-jun ZHU Shi-fu REN Rui WEN Cai YE Lin-sen ZHONG Yu-hang WANG Li-miao YANG Hui-guang (The Department of Materials Science,Sichuan University,Chengdu 610064,China)

【机构】 四川大学材料科学系；

【摘要】 以晶体生长理论为基础,计算了气相提拉生长 CdSe 晶体时的生长速率．结果表明用提拉法气相生长 CdSe 晶体时,晶体的气相生长速率将会随着时间的延长以指数关系快速的趋近于提拉速度,以后不再变化．由此,在选定温场的前提下,对 CdSe 单晶体的气相生长速度进行了优化,确定了3mm/d 的生长速度, 得到了平界面生长的尺寸为φ20mm×30mm,电阻率高达10~9Ω·cm,且未观察到深能级陷阱的优质 CdSe 大单晶体．更多还原

【Abstract】 The speed of growing CdSe single crystal by using vapor phase pulling method was calculated,based on the theory of crystal growth.The results showed that the crystal growth speed exponentially approached the pulling speed quickly as the time prolonged and did not change ever since.Therefore,in the chose temperature field,the single crystal growth speed was optimized and was confirmed to be 3mm/day.High quality,large CdSe single crystals(φ20mm×30mm) without obvious deep energy level trap were obtained with flat interface growth and 10~9Ω-cm high resistance.更多还原