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溅射功率对Ca2Si薄膜性质的影响

Effects of sputtering power on properties of Ca2Si films

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【作者】 任雪勇谢泉杨吟野肖清泉杨创华曾武贤梁艳

【Author】 REN Xue-yong XIE Quan YANG Yin-yie XIAO Qing-quan YANG Chuang-hua ZENG Wu-xian LIANG Yan (School of Electronic Science and Information Technology,Guizhou University,Guiyang 550025,China)

【机构】 贵州大学电子科学与信息技术学院

【摘要】 采用射频磁控溅射技术在 Si(100)衬底上沉积了 Si-Ca-Si 薄膜,并在高真空条件下对样品进行退火处理,直接生成立方相 Ca2Si 薄膜。研究了不同溅射功率对薄膜的晶体结构、表面(断面)形貌的影响,并对其光学性质进行了测试分析。结果表明:Ca2Si 薄膜为立方结构且具有沿(111)向择优生长的特性,当溅射功率为120W 时,Ca2Si 薄膜变的均匀、致密,在400~800 nm 波长范围内,溅射功率对折射率 n 和吸收系数 k 的影响较小。

【Abstract】 Si-Ca-Si films were deposied on Si(100)by radio frequency magnetron sputtering,which were annealed at 800℃ for 1.5h.The crystal structure,surface roughness,cross roughness and optical properties at different sputtering power were studied.The results indicate that the Ca2Si films are cubic structure,the films are equality and compact when the sputtering power is 120 W.The result of the optical constants of the film shows that n (λ) and k (λ) go down slightly by sputtering power with the wavelength from 400nm to 800nm.

【基金】 国家自然科学基金(60566001)
  • 【会议录名称】 第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集(4)
  • 【会议名称】第六届中国功能材料及其应用学术会议
  • 【会议时间】2007-11
  • 【会议地点】中国湖北武汉
  • 【分类号】TB383.2
  • 【主办单位】重庆仪器材料研究所、中国仪器仪表学会仪表材料分会、国家仪表功能材料工程技术研究中心
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