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磁控反应溅射制备的Ta2O5薄膜的光学与介电性能
Optical and dielectric properties of Ta2O5 thin films prepared by magnetron reactive sputtering
【Author】 ZHANG Xing-fu~1 WEI Ai-xiang~1 LIU Yi~2 (1.Faculty of Material and Energy,Guangdong University of Technology,Guangzhou 510006,China;2.School of Physics,Shenzhen University,Shenzhen 518060,China)
【机构】 广东工业大学材料与能源学院； 深圳大学物理科学学院；
【摘要】 采用直流磁控反应溅射技术,在不同的 Ar/O2 比条件下制备了系列 Ta2O5薄膜样品,采用紫外．可见光透射光谱和椭偏光谱测试分析技术,研究了 Ta2O5薄膜在可见光范围内的透射率、折射率和消光系数；同时还采用 HP 4192A 阻抗分析仪测试分析了样品在500Hz～ 13MHz 频段的介电谱,结果表明在300～700nm 的可见光波长范围内,氧化钽薄膜的消光系数 k→0,折射率 n ＞2．0,透射率大约80%．500Hz 下的低频介电常数ε的典型值为20．1．损耗角正切 tgδ为19．9。
【Abstract】 Ta2O5 thin films was prepared at difference Ar/O2 ratio by dc magnetron sputtering.Optical and dielectric properties of Ta2O5 thin films were studied using ultraviolet-visible spectra,ellipsometry spectroscopic and dielectric spectra.The results revealed that its extinction coefficient k is about 0,refractive index n 2.1 in wavelength range from 300 to 700 nm.The value of dielectrics constant and loss tangent of Ta2O5 thin films is 20.1 and 19.7 at 500 Hz.
【Key words】 Ta2O5 thin films； optical characteristics； dielectric properties；
- 【会议录名称】 第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集（2）
- 【会议名称】第六届中国功能材料及其应用学术会议
- 【会议时间】2007-11
- 【会议地点】中国湖北武汉
- 【分类号】TB383.2
- 【主办单位】重庆仪器材料研究所、中国仪器仪表学会仪表材料分会、国家仪表功能材料工程技术研究中心