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后处理工艺对BST薄膜残余应力的影响的分析
Analysis of relationships between residual stress and annealing parameter for BST thin films
【Author】 TANG Hai-jun YANG Chuan-ren CHEN Hong-wei ZHANG Ji-hua FENG Shu-cheng (The Key Laboratory of Electronic Thin Films,University of Electronic Science & Technology,Chengdu 610054,China)
【机构】 电子科技大学电子薄膜重点实验室；
【摘要】 采用射频磁控溅射在 Pt/Ti/SiO2/Si（100）衬底上制备了钛酸锶钡（BST）薄膜,利用气氛炉对薄膜进行晶化处理,晶化后薄膜的应力采用 XRD 表征．研究其残余应力随退火气氛、退火温度以及退火降温速率变化的趋势,通过对不同后处理工艺参数实验结果的分析,得到较优化的工艺参数,以制备较小残余应力的优质 BST 薄膜．
【Abstract】 (Ba,Sr)TiO3 （BST） thin films were prepared on Pt/Ti/SiO2/Si（100） substrates by RF-magnetron sputtering,And then were annealed in different oxygen ambience,temperature and speed of annealing temperature falling,respectively. The stress change of BST thin films was analyzed by XRD.Through researching the relationships between residual stress and annealing atmosphere,temperature,lowering temperature-speed,we have acquired optimized annealing parameters, and （Ba,Sr）TiO3 （BST） thin films,with lower residual stress and better capability,deposited on Pt/Ti/SiO2/Si（100） substrates have been achieved.
【Key words】 RF-magnetron sputtering； BST thin films； post-annealing； residual stress；
- 【会议录名称】 第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集（2）
- 【会议名称】第六届中国功能材料及其应用学术会议
- 【会议时间】2007-11
- 【会议地点】中国湖北武汉
- 【分类号】TB383.2
- 【主办单位】重庆仪器材料研究所、中国仪器仪表学会仪表材料分会、国家仪表功能材料工程技术研究中心