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CrSi₂能带结构和光学性质的第一性原理研究

First-principles study on the electronic structure and optical properties of CrSi₂

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【Author】 ZHOU Shi-yun~(1,2) XIE Quan~1 YAN Wan-jun~1 CHEN Xi~1 (1.College of Electronic Science and Information Techaology,Guizhou Univercity,Guiyaing 550025,China;2.Physics Department,Anshun College,Anshun 561000,China)

【机构】贵州大学电子科学与信息技术学院；

【摘要】采用基于第一性原理的密度泛函理论（DFT）赝势平面波方法,对 CrSi₂的能带结构、态密度和光学性质进行了理论计算,能带结构计算表明 CrSi₂属于一种间接带隙半导体,禁带宽度为0．353eV；其能态密度主要由 Cr 的3d 层电子和 Si 的3p 层电子的能态密度决定；计算了 CrSi₂的介电函数、反射率、折射率及吸收系数等。经比较,计算结果与已有的实验数据符合较好。更多还原

【Abstract】 By using the first principle methods based on plane-wave pseudo-potential theory,geometric parameters, electronic structure and optical properties of CrSi₂ were studied.The calculation of band structure show that CrSi₂ is an indirect semiconductor and the band gap is 0.35eV.Density of state is mainly composed of Cr 3d and Si 3p.The calculation of dielectric functions show that the anisotropy of the optical properties of CrSi₂ is not large.Moremove,the reflectivity,absorption coefficient and refractive index were calculated from the obtained dielectric functions.The calculated results of optical properties are in argreement with the experiments.更多还原

【关键词】 CrSi₂；电子结构；光学性质；第一性原理；
【Key words】 CrSi₂； electronic structure； optical properties； first-principles；

【基金】国家自然科学基金(60566001);教育部博士点专项科研基金(20050657003);教育部留学回国科研基金(教外司(2005)383);贵州省科技厅国际合作资助项目(黔科合 G(2005)400102);贵州省教育厅重点基金(05JJ002);贵州省留学人员科技基金(黔人项目(2004)03)