【作者】 梁艳； 谢泉； 曾武贤； 张晋敏； 杨吟野； 肖清泉； 任雪勇；

【Author】 LIANG Yan XIE Quan ZENG Wu-xian ZHANG Jin-min YANG Yin-ye XIAO Qing-quan REN Xue-yong (Department of Electronic Science and Information Technology,Guizhou University,Guiyang 550025,China)

【机构】 贵州大学电子科学与信息技术学院；

【摘要】 采用磁控溅射的方法,在高真空条件下,沉积金属 Fe 到 Si（100）衬底上,然后通过真空退火炉在不同温度条件下对样品进行热处理,直接形成了β-FeSi₂ 薄膜．采用 X 射线衍射仪（XRD）对样品进行了晶体结构分析,利用卢瑟福背散射（RBS）对 Fe-Si 化合物的形成过程中的 Fe 原子和 Si 原子的互扩散机理进行了研究,利用扫描电镜（SEM）对样品表面的显微结构进行表征,结果表明,在900℃条件下退火能够得到质量很好的β-FeSi₂薄膜,超过这一温度β相将开始向α相转化,到1000℃,β-FeSi₂全部转化为αFeSi+2．更多还原

【Abstract】 In this paper,Fe films were deposited on Si（100）substrates by magnetron sputtering method,then annealed at the temperature range of 600℃ to 1000℃ for 2h.The samples were analyzed by X-ray diffraction（XRD）,scanning electron microscope（SEM）and Rutherford backscattering（RBS）.The results show that the film with best microstructure and crystal properties is obtained at the annealing temperature of 900℃ for 2h.The β-FeSi₂ phase will begin to transform into α-FeSi₂ phase when the temperature above 900℃ and there is only α-FeSi₂ at the temperature of 1000℃.更多还原