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Al0．15Ga0．85As/GaAs与In0．15Ga0．85As/GaAs甚长波QWIPs响应率的仿真对比
Simulation and comparison between very long wavelength Al0．15Ga0．85As/GaAs and In0．15Ga0．85As/GaAs QWIPs
【Author】 LEI Wei~1 GUO Fang-min~1 LU Wei~2 (1.College of Information Sciences and Technology,East China Normal University,Shanghai 200062,China;2.National Lab.for Infrared Physics,Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Science,Shanghai 200083,China)
【机构】 华东师范大学信息学院； 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室；
【摘要】 对 In0．15Ga0．85As/GaAs 和 Al0．15Ga0．85As/GaAs 两种甚长波段量子阱红外探测器（QWIP）响应率进行计算．采用物理模型与等效电路模型,结合 Crosslight 和 Spice 等软件详细表征了这两种 QWIPs 的吸收系数、暗电流、响应率、量子效率等物理特性。结果表明随外加偏压的升高 QWIP 的响应率增加,T=40K 时, In0．15Ga0．85As/GaAs QWIP 的响应率明显比 Al0．15Ga0．85As/GaAs QWIP 高出2倍以上,通过对量子效率的对比,使仿真结果得到验证．
【Abstract】 Based on the theoretical model,a reasonable circuit model is set up for Al0．15Ga0．85As/GaAs and In0．15Ga0．85As/GaAs QWIPs.Bias dependence of the dark current and photocurrent is accurately described by the model in Spice,and the quantum efficiency is simulated.The absorption value of both samples calculated in Crosslight software. The result demonstrated that the Responsivity of the two QWIPs is arising by increase of bias.When T=4OK,the Responsivity of In0．15Ga0．85As/GaAs QWIP is two times or more as the Al0．15Ga0．85As/GaAs QWIP’s.
【Key words】 QWIP； AIGaAs/GaAs； InGaAs/GaAs； absorption； responsivity；
- 【会议录名称】 第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集（1）
- 【会议名称】第六届中国功能材料及其应用学术会议
- 【会议时间】2007-11
- 【会议地点】中国湖北武汉
- 【分类号】TN215
- 【主办单位】重庆仪器材料研究所、中国仪器仪表学会仪表材料分会、国家仪表功能材料工程技术研究中心