【作者】 王质武； 刘文； 张勇； 杨清斗； 卫静婷； 唐伟群； 张浩希；

【Author】 WANG Zhi-wu LIU Wen ZHANG Yong YANG Qing-dou WEI Jing-ting TANG Wei-qun ZHANG Hao-xi (Institute of Optoeleetronics,Shenzhen University,Key Laboratory of Optoelectronic Devices and Systems,Guangdong Province,Key Laboratory of Optoeleetronie Devices and Systems,Ministry of Education,Shenzhen 518060,China)

【机构】 深圳大学光电子学研究所广东省光电子器件与系统重点实验室光电子器件与系统教育部重点实验室；

【摘要】 介绍了稀土掺杂氮化镓(GaN：RE)的发光机理及其掺杂的方法(热扩散、离子注入和原位掺杂),对各种方法的优势及其存在的问题进行了点评．综述了近年来国内外稀土掺杂 GaN 的研究进展及其相关电致发光器件在平板显示领域的应用．更多还原

【Abstract】 A review of dominant mechanisms for excitation and subsequent relaxation and methods of rare-earth-doped GaN(thermal diffusion,ion implantation doping and in situ doping)was presented.The advantage and disadvantage of methods of rare-earth-doped GaN is discussed.The research development of GaN:RE and application of electroluminescent devices are also reviewed.更多还原