【作者】 翁占坤； 申慧娟； 刘爱民； 刘艳红； 徐峰； 罗慧晶；

【Author】 WENG Zhan-kun ,SHEN Hui-juan , LIU Ai-min , LIU Yan-hong , XU feng , LUO Hui-jing (State Key Laboratory for Material Modification by Laser,Ion,and Electron Beams,Department of Physics,Dalian University of Technology,Dalian 116023,China; College of Life and Science,Changchun University of Science and Technology,Changchun 130022,China)

【机构】 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室大连理工大学物理系；

【摘要】 利用扫描电子显微镜(SEM)对电化学刻蚀多孔InP的形貌进行了表征,用耗尽层模型和场强化效应模型讨论了多孔InP刻蚀的机制。更多还原

【Abstract】 Porous InP is prepared by electrochemical etching, which is characterized using scanning electron microscopy (SEM). The etching mechanism of porous InP is discussed with the model of the depletion layer and the field enhancement effect.更多还原