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PECVD法制备微晶硅薄膜的研究
The study of microcrystalline silicon prepared by PECVD
【Author】 CAI Hong-kun, HAO Yan-ming, ZHANG De-xian, LIN Lie( Department of Physics, Tianjin Normal University, Tianjin 300074, China; College of Information Technical Science, Nankai University, Tianjin 300071, China)
【机构】 天津师范大学物理与电子信息学院； 南开大学信息学院；
【摘要】 对等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)制备的微晶硅(μc·Si)薄膜的电导率、光学带隙和晶化率随温度和功率的变化规律进行了研究.从拉曼谱中可以明显看出,随着功率的增大,N型材料的非晶肩逐渐减小,材料的晶化率增大.随着温度的升高,P型材料的暗电导率和激活能都是先升高后降低.
【Abstract】 Microcrystalline silicon film was prepared by the plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). The performance of μc-Si:H film changed with pressure and temperature has been investigated. The amorphous shoulder of n-type materials was decreased with the power from Laman spectrum. Xc of n-type materials was gradually increased. The dark conductivity and active energy of p-type materials were increased and then decreased with temperature.
- 【会议录名称】 第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅲ
- 【会议名称】第五届中国功能材料及其应用学术会议
- 【会议时间】2004-09
- 【会议地点】中国北京·秦皇岛
- 【分类号】TM914
- 【主办单位】国家仪表功能材料工程技术研究中心、国家“863”计划新材料领域专家委员会、中国仪器仪表学会仪表材料学会、中国金属学会、中国稀土学会、中国复合材料学会、中国有色金属学会、重庆仪表材料研究所、北京有色金属研究总院、包头稀土研究院、钢铁研究总院、北京工业大学、燕山大学、山东大学、云南大学、上海交通大学、华中科技大学、天津大学、四川大学、湖南大学、大连理工大学、南京大学、清华大学、西南师范大学、北京科技大学、北京大学、厦门大学、中南大学、电子科技大学、重庆大学、福州大学、吉林大学、哈尔滨工业大学、武汉大学、西安理工大学、北京交通大学、西北工业大学、苏州大学、东北大学、复旦大学、武汉理工大学、浙江大学、北京理工大学、北京航空航天大学、中国科技大学、西南交通大学、南开大学、《功能材料与器件学报》编辑部、《功能材料》编辑部