节点文献
射频磁控溅射纳米SiC薄膜及其拉曼和红外分析
Raman and FTIR studies of SiC films prepared by RF magnetron sputtering method
【作者】 陈长青； 毛旭； 周祯来； 陈刚； 刘焕林； 杨宇；
【Author】 CHEN Chang-qing, MAO Xu, ZHOU Zheng-lai, CHEN Gang, LIU Huan-lin, YANG Yu( Institution of Chemistry Material and Engineering of Yunnan University, Kunming 650091, China; Institution of Information Engineering of Beijing, Beijing 100101, China)
【机构】 云南大学化学与材料工程学院；
【摘要】 用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出一系列衬底温度不同的纳米碳化硅薄膜,衬底温度分别为室温,200、400、600、700℃,并对样品进行了Raman和傅立叶红外测试分析。结果表明,随衬底温度的升高,薄膜结晶度提高,其晶粒尺寸为纳米数量级。通过FTIR不仅观察到SiC的TO声子在红外被激活,而且LO声子在粒径很小或薄膜很薄时也能在红外被激活,体现了纳米SiC较强的红外吸收特性。
【Abstract】 The nano-crystalline silicon carbide films grown on glass-substrates at different temperature by RF magnetron sputtering, were characterized by Raman and fourier infrared transmission spectrum(FTIR) measurement.The experiment results show that the films are nano-crystalline SiC and the crystallization of the films is better at higher grown temperature. It also suggests the good infrared absorbing character of the nano-crystalline SiC .
【Key words】 magnetron sputtering； nano-SiC； infrared absorbing； raman absorbing；
- 【会议录名称】 第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅲ
- 【会议名称】第五届中国功能材料及其应用学术会议
- 【会议时间】2004-09
- 【会议地点】中国北京·秦皇岛
- 【分类号】TB383
- 【主办单位】国家仪表功能材料工程技术研究中心、国家“863”计划新材料领域专家委员会、中国仪器仪表学会仪表材料学会、中国金属学会、中国稀土学会、中国复合材料学会、中国有色金属学会、重庆仪表材料研究所、北京有色金属研究总院、包头稀土研究院、钢铁研究总院、北京工业大学、燕山大学、山东大学、云南大学、上海交通大学、华中科技大学、天津大学、四川大学、湖南大学、大连理工大学、南京大学、清华大学、西南师范大学、北京科技大学、北京大学、厦门大学、中南大学、电子科技大学、重庆大学、福州大学、吉林大学、哈尔滨工业大学、武汉大学、西安理工大学、北京交通大学、西北工业大学、苏州大学、东北大学、复旦大学、武汉理工大学、浙江大学、北京理工大学、北京航空航天大学、中国科技大学、西南交通大学、南开大学、《功能材料与器件学报》编辑部、《功能材料》编辑部