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APCVD方法制备SnO2薄膜的结构和光致发光特性
Photoluminescence of SnO2 films prepared by APCVD
【作者】 计峰； 马瑾； 王玉恒； 余旭浒； 宗福建； 程传福； 马洪磊；
【Author】 JI Feng, MA Jin, WANG Yu-heng, MA Hong-lei, YU Xi-hu, ZONG Fu-jian (School of Physics and Microelectronics, Shandong University, Ji’nan 250100, China)
【机构】 山东大学物理与微电子学院； 山东师范大学物理系；
【摘要】 采用常压化学气相沉积法(APCVD)在玻璃村底上制备出SnO2薄膜,对薄膜的结构和光致发光性质及退火处理对薄膜结构和发光特性的影响进行了研究。制备SnO2薄膜为六角金红石结构,最大晶粒尺寸约为1000nm。室温光致发光(PL)谱测量表明,在396nm处存在强的发光峰。研究了退火处理对发光性质的影响,并对辐射机理进行了探索。
【Abstract】 SnO2 films were prepared by atmosphere pressure chemical vapor deposition (APCVD) method. The preparation and structure properties of the films have been studied. X-ray diffraction spectrum revealed that all the obtained films were polycrystalline with the rutile structure and have a preferred orientation in (211) plane. The photoluminescence of this SnO2 films annealing at different temperatures were investigated. A violet (396nm) and a blue (446nm) photoluminescence peaks were first observed at room temperatures. The intensity of the PL peaks located at 3.13eV decreased with increasing the annealing temperature. The emission mechanism of the has been investigated.
- 【会议录名称】 第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅲ
- 【会议名称】第五届中国功能材料及其应用学术会议
- 【会议时间】2004-09
- 【会议地点】中国北京·秦皇岛
- 【分类号】TN304
- 【主办单位】国家仪表功能材料工程技术研究中心、国家“863”计划新材料领域专家委员会、中国仪器仪表学会仪表材料学会、中国金属学会、中国稀土学会、中国复合材料学会、中国有色金属学会、重庆仪表材料研究所、北京有色金属研究总院、包头稀土研究院、钢铁研究总院、北京工业大学、燕山大学、山东大学、云南大学、上海交通大学、华中科技大学、天津大学、四川大学、湖南大学、大连理工大学、南京大学、清华大学、西南师范大学、北京科技大学、北京大学、厦门大学、中南大学、电子科技大学、重庆大学、福州大学、吉林大学、哈尔滨工业大学、武汉大学、西安理工大学、北京交通大学、西北工业大学、苏州大学、东北大学、复旦大学、武汉理工大学、浙江大学、北京理工大学、北京航空航天大学、中国科技大学、西南交通大学、南开大学、《功能材料与器件学报》编辑部、《功能材料》编辑部