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一种电可擦写可读出的有机薄膜存储器件
An electrical rewritable, erasable and readable organic film memory device
【作者】 郭鹏； 蔡永挚； 刘春明； 吕银祥； 徐伟； 潘星龙； 华中一；
【Author】 GUO Peng, CAI Yong-zhi, LIU Chun-ming, LU Yin-xiang,XU Wei, PAN Xing-long, HUA Zhong-yi (Department of Materials Science, Fudan University, Shanghai 200433, China)
【机构】 复旦大学材料科学系；
【摘要】 报道一种具有可逆电双稳特性的有机薄膜存储器件。器件采用三明治夹层结构:Ag/DBCN/Al,DBCN为有机分子材料的简称。这种薄膜器件可以通过改变外加电场的大小来控制所处的状态,表现出高电压区(>6V)为高阻态(>106Ω),低电压区(1～2V)为低阻态(-103Ω)的特性,外电场消失时其状态能够长时间保持稳定(超过3个月),还可以用小电压脉冲信号(<0.5V)来读取其状态信息。此外还发现该器件具有良好的耐热稳定性。
【Abstract】 We report a rewritable, erasable and readable electrical bistable device Ag/DBCN/Al, where DBCN is a new molecular material. The state of the device can be controlled by exhibits a high-resistance state (> 106 Ω) upon a higher voltage (e.g. 5V), whereas it retains a low-resistance state (~103 Ω) when applying a lower voltage (< 2V), the resistance ratio of the two states is about 103-105. Changing the voltage applied, the two states can be inverted more than 103 times, indicating that the device is either writable or erasable. Furthermore, the high-resistance and low-resistance states can be read by a lower bias (0.4V). Such a simple device may promise its usage in molecular switch and molecular memory.
【Key words】 organic molecular material； electrical bistable states； electrically rewritable, erasable and readable molecular device；
- 【会议录名称】 第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅲ
- 【会议名称】第五届中国功能材料及其应用学术会议
- 【会议时间】2004-09
- 【会议地点】中国北京·秦皇岛
- 【分类号】TP333
- 【主办单位】国家仪表功能材料工程技术研究中心、国家“863”计划新材料领域专家委员会、中国仪器仪表学会仪表材料学会、中国金属学会、中国稀土学会、中国复合材料学会、中国有色金属学会、重庆仪表材料研究所、北京有色金属研究总院、包头稀土研究院、钢铁研究总院、北京工业大学、燕山大学、山东大学、云南大学、上海交通大学、华中科技大学、天津大学、四川大学、湖南大学、大连理工大学、南京大学、清华大学、西南师范大学、北京科技大学、北京大学、厦门大学、中南大学、电子科技大学、重庆大学、福州大学、吉林大学、哈尔滨工业大学、武汉大学、西安理工大学、北京交通大学、西北工业大学、苏州大学、东北大学、复旦大学、武汉理工大学、浙江大学、北京理工大学、北京航空航天大学、中国科技大学、西南交通大学、南开大学、《功能材料与器件学报》编辑部、《功能材料》编辑部