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掺铁氧化锌室温磁性半导体

Diluted magnetic semiconductor at room temperature

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【作者】 文剑锋刘兴翀曾毅高俊张凤鸣都有为

【Author】 WEN Jian-feng, LIU Xing-chong, ZENG Yi, GAO Jun, ZHANG Feng-ming, DU You-wei (State Key Laboratory of Solid State Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, China)

【机构】 南京大学固体微结构国家重点实验室

【摘要】 采用溶胶-凝胶法制备了Zn0.98Fe0.020块材样品,利用XRD检测了样品的结构.结果表明样品具有ZnO的六角结构,并且只有ZnO的衍射峰出现,没有Fe或Fe的化合物等杂相存在,说明样品只包含单相znO.结果还进一步说明掺杂的部分Fe替代了部分Zn的位置.利用VSM所作的分析测量表明,样品是铁磁性的,且居里温度高于室温.

【Abstract】 Magnetic semiconductor bulk sample Zn0.98Fe0.02O has been prepared by sol-gel method. The structure and magnetic properties have been studied by X-ray diffraction (XRD) and vibrating sample magnetometer (VSM). It has been shown that the bulk sample is the same hexagonal structure as ZnO and its Curie temperature higher than 320K.

【关键词】 溶胶-凝胶法氧化锌磁性半导体
【Key words】 sol-gel methodzinc oxidemagnetic semicondutor
【基金】 国家重点基础研究发展规划项目(G1999064508)
  • 【会议录名称】 第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅲ
  • 【会议名称】第五届中国功能材料及其应用学术会议
  • 【会议时间】2004-09
  • 【会议地点】中国北京·秦皇岛
  • 【分类号】TN304
  • 【主办单位】国家仪表功能材料工程技术研究中心、国家“863”计划新材料领域专家委员会、中国仪器仪表学会仪表材料学会、中国金属学会、中国稀土学会、中国复合材料学会、中国有色金属学会、重庆仪表材料研究所、北京有色金属研究总院、包头稀土研究院、钢铁研究总院、北京工业大学、燕山大学、山东大学、云南大学、上海交通大学、华中科技大学、天津大学、四川大学、湖南大学、大连理工大学、南京大学、清华大学、西南师范大学、北京科技大学、北京大学、厦门大学、中南大学、电子科技大学、重庆大学、福州大学、吉林大学、哈尔滨工业大学、武汉大学、西安理工大学、北京交通大学、西北工业大学、苏州大学、东北大学、复旦大学、武汉理工大学、浙江大学、北京理工大学、北京航空航天大学、中国科技大学、西南交通大学、南开大学、《功能材料与器件学报》编辑部、《功能材料》编辑部
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