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Al-Cu合金中θ相的价电子结构分析
Electron structure of θ（Al2Cu） in Al-Cu alloy
【Author】 GAO Ying-jun, HUANG Chuang-gao, WANG Tai-cheng, LAN Zhi-qiang WEI Yin-yan (College of Physics Science and technology, Guangxi University, Nanning 530004, China; Central of International Material and Physics, Academica Sinica, Shenyang 150016, China)
【机构】 广西大学物理科学与工程技术学院；
【摘要】 运用经验电子理论(EET)对Al-Cu合金薄膜析出相θ(Al2Cu)的价电子结构进行计算.结果表明θ相中的Cu-Cu键最强,其次为Al-Cu键,它们的强度都比金属Cu的最强Cu-Cu键要强.Al-Cu合金薄膜互连线的电迁移寿命与在基体晶粒中析出具有强的共价键络的θ相紧密相关.θ相的析出提高了合金强度,延长了合金电迁移寿命.
【Abstract】 Electronic structure of θ (Al2Cu) in Al-Cu thin-film alloy was calculated by using Empirical Electron Theory(EET) in solid. The results were showed that the Cu-Cu bond in θ phase was the strongest, the second was the Al-Cu bond. They were all stronger than the strongest Cu-Cu bond in Cu metal. The electromigration lifetime of Al-Cu thin-film alloy for interconnects was concerned with the strong atomic bonding of θ phase dispersed in grain of alloy. The 6 precipitation in Al-Cu thin-film alloy could enhance the strength and increase the electromigration lifetime for interconnects.
【Key words】 Al-Cu alloy:θ (Al2Cu)； electron structure； thermal-stability； electromigration；
- 【会议录名称】 第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅲ
- 【会议名称】第五届中国功能材料及其应用学术会议
- 【会议时间】2004-09
- 【会议地点】中国北京·秦皇岛
- 【分类号】TG111.1
- 【主办单位】国家仪表功能材料工程技术研究中心、国家“863”计划新材料领域专家委员会、中国仪器仪表学会仪表材料学会、中国金属学会、中国稀土学会、中国复合材料学会、中国有色金属学会、重庆仪表材料研究所、北京有色金属研究总院、包头稀土研究院、钢铁研究总院、北京工业大学、燕山大学、山东大学、云南大学、上海交通大学、华中科技大学、天津大学、四川大学、湖南大学、大连理工大学、南京大学、清华大学、西南师范大学、北京科技大学、北京大学、厦门大学、中南大学、电子科技大学、重庆大学、福州大学、吉林大学、哈尔滨工业大学、武汉大学、西安理工大学、北京交通大学、西北工业大学、苏州大学、东北大学、复旦大学、武汉理工大学、浙江大学、北京理工大学、北京航空航天大学、中国科技大学、西南交通大学、南开大学、《功能材料与器件学报》编辑部、《功能材料》编辑部