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磁控溅射Ge薄膜的结晶特性研究
Study on the crystallization characteristic of Ge thin films by magnetron sputtering
【作者】 高立刚； 陈刚； 邓书康； 陈亮； 阚家德； 俞帆； 杨宇；
【Author】 GAO Li-gang, CHEN Gang, DENG Shu-kang, CHEN Liang, KAN Jia-de, YU Fan, YANG Yu (Department of Materials Science and Engineering, Yunnan University, Kunming 650091, China)
【机构】 云南大学材料科学与工程系；
【摘要】 采用直流磁控溅射技术制备了不同衬底温度下的Ge单层膜,XRD分析结果表明,当衬底温度低于350℃时Ge膜为非晶结构,高于400℃时开始结晶。并研究了不同尺寸Ge颗粒的Raman散射谱特征,与晶体Ge的散射谱相比,观察到纳米Ge颗粒Raman散射谱的峰位红移与峰形宽化现象;并根据Raman谱的红移量计算了纳米Ge晶粒的平均尺寸,采用声子限域理论较好地解释了实验结果.
【Abstract】 Germanium thin films were produced by DC magnetron sputtering on glass substrates under different substrate temperature. X-ray diffraction spectra revealed that the films grown below 350℃ were amorphous, while the films grown above 400℃ were nanocrystalline. Raman scattering spectra were measured. Compared with bulk Ge, a red-shift and broadening of Raman scattering spectra were observed. According to the red-shift, we calculated the average crystal-size of nanocrystalline Ge films. The results were in agreement with the phonon confinement theory.
【Key words】 Ge thin film； X-ray diffraction； Raman scattering spectra； crystal-size； phonon confinement theory；
- 【会议录名称】 第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅲ
- 【会议名称】第五届中国功能材料及其应用学术会议
- 【会议时间】2004-09
- 【会议地点】中国北京·秦皇岛
- 【分类号】TB383
- 【主办单位】国家仪表功能材料工程技术研究中心、国家“863”计划新材料领域专家委员会、中国仪器仪表学会仪表材料学会、中国金属学会、中国稀土学会、中国复合材料学会、中国有色金属学会、重庆仪表材料研究所、北京有色金属研究总院、包头稀土研究院、钢铁研究总院、北京工业大学、燕山大学、山东大学、云南大学、上海交通大学、华中科技大学、天津大学、四川大学、湖南大学、大连理工大学、南京大学、清华大学、西南师范大学、北京科技大学、北京大学、厦门大学、中南大学、电子科技大学、重庆大学、福州大学、吉林大学、哈尔滨工业大学、武汉大学、西安理工大学、北京交通大学、西北工业大学、苏州大学、东北大学、复旦大学、武汉理工大学、浙江大学、北京理工大学、北京航空航天大学、中国科技大学、西南交通大学、南开大学、《功能材料与器件学报》编辑部、《功能材料》编辑部