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金刚石膜中氮杂质状态的研究
The study for nitrogen impurity states in diamond films grown by EA-CVD method
【作者】 金曾孙； 吕宪义； 杨广亮； 吴汉华； 李哲奎； 刘建设；
【Author】 JIN Zeng-sun, LU Xian-yi, YANG Guang-liang, WU Han-hua, LI Zhe-kui, LIU Jian-she( National Laboratory of Superhard Material, Jilin University, Changchun 130012, China; Department of physics,Yanbian University, Yanji 133002, China; Henan Huanghe industrial Corporation, Changge461500, China)
【机构】 吉林大学超硬材料国家重点实验室； 延边大学物理系； 河南黄河旋风有限责任公司；
【摘要】 用EA-CVD(Electron assisted Chemical VaporDeposition)方法制备出金刚石膜,并且用拉曼光谱、荧光谱、红外吸收谱和顺磁共振谱研究了金刚石膜中的氮杂质。实验结果表明,用EA-CVD方法制备的金刚石膜中氮杂质主要是以Ns0、Ns+、[N-V]0和[N-V]-1的形式存在,没有检测到在天然金刚石和高温高压金刚石中常见的A和B中心形式存在的氮杂质。沉积实验中随着氢气流量的增加,也就是金刚石膜沉积环境中氮浓度的减少,金刚石膜中氮杂质含量减少。
【Abstract】 In this paper, diamond films have been grown by EA-CVD (Electron assisted Chemical Vapor Deposition) method, and states of nitrogen impurity contained in diamond films were studied by Raman spectroscopy, IR spectroscopy, fluorescence spectroscopy and EPR spectroscopy. The result show that impurity states of Ns0、 Ns+、 [N -V]0 and [N-V]-1 in diamond films were detected, but A and B center types defected in natural diamond and high pressure-high temperature diamond were not detected. The concentration of nitrogen impurity in diamond films decreases with the increase of the hydrogen flow rate.
- 【会议录名称】 第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅱ
- 【会议名称】第五届中国功能材料及其应用学术会议
- 【会议时间】2004-09
- 【会议地点】中国北京·秦皇岛
- 【分类号】TB43
- 【主办单位】国家仪表功能材料工程技术研究中心、国家“863”计划新材料领域专家委员会、中国仪器仪表学会仪表材料学会、中国金属学会、中国稀土学会、中国复合材料学会、中国有色金属学会、重庆仪表材料研究所、北京有色金属研究总院、包头稀土研究院、钢铁研究总院、北京工业大学、燕山大学、山东大学、云南大学、上海交通大学、华中科技大学、天津大学、四川大学、湖南大学、大连理工大学、南京大学、清华大学、西南师范大学、北京科技大学、北京大学、厦门大学、中南大学、电子科技大学、重庆大学、福州大学、吉林大学、哈尔滨工业大学、武汉大学、西安理工大学、北京交通大学、西北工业大学、苏州大学、东北大学、复旦大学、武汉理工大学、浙江大学、北京理工大学、北京航空航天大学、中国科技大学、西南交通大学、南开大学、《功能材料与器件学报》编辑部、《功能材料》编辑部