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热丝辅助MW ECR CVD法高速沉积优质氢化非晶硅薄膜
High quality a-Si:H thin films deposited with high rate by HW-MW ECRCVD
【作者】 吴越颖； 胡跃辉； 阴生毅； 荣延栋； 王青； 高卓； 李瀛； 宋雪梅； 陈光华；
【Author】 WU Yue-ying, HU Yue-hui, YIN Sheng-yi, RONG Yan-dong, WANG Qing, GAO Zhuo,LI Ying, SONG Xue-mei, CHEN Guang-hua (The Key Laboratory of Advanced Functional Materials, Beijing University of Technology, Beijing 100022, China)
【机构】 北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室；
【摘要】 我们用热丝辅助MW ECRCVD系统,在热丝温度分别为0、1350、1400、1450、1500、1600和1700℃时制备出a-Si:H薄膜。通过膜厚测定,红外光谱分析光、暗电导测量等手段,分析了其沉积速率、光敏性及光学带隙的变化规律。结果表明沉积速率和薄膜质量均得到明显的提高,沉积速率超过3nm/s,光暗电导之比提高到6×105。找到最佳辅助热丝温度为1450℃。通过对带隙值的分析,发现当带隙值在1.6-1.7范围内时,薄膜几乎都具有105以上的光暗电导之比。
【Abstract】 a-Si:H thin films were prepared by MW ECRCVD assisted with hot wire . The temperature of hot wire were 0℃ ,1350℃, 1400℃, 1450℃, 1500℃, 1600℃ and 1700℃ respectively. We analysis the films’characteristics by measuring their thickness, IR absorption spectra, photoconductivity and darkconductivity. As a result, high deposition rate (30A/s) and fine photosensitivity (6×105) were obtained. We also find that the optimized temperature of hot wire was 1450℃ and the films’ photosensitivity was above 105 when their optical band gaps were in the range of 1.6-l.7eV.
【Key words】 a-Si:H thin film； MWECR CVD system； hot wire； photosensitivity； deposition rate；
- 【会议录名称】 第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅱ
- 【会议名称】第五届中国功能材料及其应用学术会议
- 【会议时间】2004-09
- 【会议地点】中国北京·秦皇岛
- 【分类号】TB383
- 【主办单位】国家仪表功能材料工程技术研究中心、国家“863”计划新材料领域专家委员会、中国仪器仪表学会仪表材料学会、中国金属学会、中国稀土学会、中国复合材料学会、中国有色金属学会、重庆仪表材料研究所、北京有色金属研究总院、包头稀土研究院、钢铁研究总院、北京工业大学、燕山大学、山东大学、云南大学、上海交通大学、华中科技大学、天津大学、四川大学、湖南大学、大连理工大学、南京大学、清华大学、西南师范大学、北京科技大学、北京大学、厦门大学、中南大学、电子科技大学、重庆大学、福州大学、吉林大学、哈尔滨工业大学、武汉大学、西安理工大学、北京交通大学、西北工业大学、苏州大学、东北大学、复旦大学、武汉理工大学、浙江大学、北京理工大学、北京航空航天大学、中国科技大学、西南交通大学、南开大学、《功能材料与器件学报》编辑部、《功能材料》编辑部