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热丝辅助ECR-CVD制备a-Si:H薄膜的红外和光致衰退研究
Ivestigation of infrared spectra and light-induced degradation of the a-Si:H film synthesized by ECR-CVD assisted hot-wire
【作者】 荣延栋； 阴生毅； 胡跃辉； 吴越颖； 朱秀红； 周怀恩； 张文理； 邓金祥； 陈光华；
【Author】 RONG Yan-dong, YIN Sheng-yi, HU Yue-hui, WU Yue-ying, ZHU Xiu-hong, ZHOU Huai-en,ZHANG Wen-li, DENG Jin-xiang, CHEN Guang-hua (The Key Laboratory of Advanced Functional Materials, Beijing University of Technology, Beijing 100022, China)
【机构】 北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室；
【摘要】 采用热丝辅助MWECR-CVD系统制备出了a-Si:H薄膜。应用傅立叶红外仪测量了薄膜的红外谱,用共面蒸铝电极法测量了薄膜的光电导。通过比较A样品(加入热丝)和B样品(未加热丝),得出在热丝辅助MWECR-CVD系统制备非晶硅薄膜过程中,热丝的光照对薄膜的抗衰退起到了关键作用,用该系统制备非晶硅薄膜,大大降低了薄膜中的总氢含量,提高了薄膜的稳定性,同时,Si-H键合体的摇摆模发生了红移。
【Abstract】 The MWECR-CVD Assisted Hot-Wire system has been used to prepare a-Si:H thin films. We got the infrared spectra by The Fourier Transform Infrared (FTIR) spectroscope and measured the thin films’ photoconductivity using Coplanar Aluminum Plating Electrode methods. Through comparing A (with hot wire) with B(without hot wire) sample , we draw a conclusion that in the MWECR-CVD Assisted Hot-Wire system ,the illumination of the hot wire plays an important role in the films’ light-induced degradation, the hydrogen content of the films prepared by this system is reduced greatly and the films’ stabilities are improved, at the same time, there is a phenomena that the Si-H wag mode peak occurs red-shift.
【Key words】 hydrogenated amorphous silicon filmt infrared spectra； light-induced degradation；
- 【会议录名称】 第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅱ
- 【会议名称】第五届中国功能材料及其应用学术会议
- 【会议时间】2004-09
- 【会议地点】中国北京·秦皇岛
- 【分类号】TB34
- 【主办单位】国家仪表功能材料工程技术研究中心、国家“863”计划新材料领域专家委员会、中国仪器仪表学会仪表材料学会、中国金属学会、中国稀土学会、中国复合材料学会、中国有色金属学会、重庆仪表材料研究所、北京有色金属研究总院、包头稀土研究院、钢铁研究总院、北京工业大学、燕山大学、山东大学、云南大学、上海交通大学、华中科技大学、天津大学、四川大学、湖南大学、大连理工大学、南京大学、清华大学、西南师范大学、北京科技大学、北京大学、厦门大学、中南大学、电子科技大学、重庆大学、福州大学、吉林大学、哈尔滨工业大学、武汉大学、西安理工大学、北京交通大学、西北工业大学、苏州大学、东北大学、复旦大学、武汉理工大学、浙江大学、北京理工大学、北京航空航天大学、中国科技大学、西南交通大学、南开大学、《功能材料与器件学报》编辑部、《功能材料》编辑部