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退火对sol-gel法生长的SiO2薄膜特性的影响
The influence of anneal on the properties of SiO2 thin films prepared by sol-gel method
【作者】 郭嘉； 龚明； 许小亮； 张慰萍； 郭海； 王燎原； 陈滢滢； 刘佩尧； 刘洪图；
【Author】 GUO Jia, GONG Ming, XU Xiao-Hang, ZHANG Wei-ping, GUO Hai,WANG liao-yuan, CHEN Ying-ying, LIU Pei-yao, LIU Hong-tu,( Department of Physics, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, China; Department of Chemical Physics, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, China)
【机构】 中国科学技术大学物理系；
【摘要】 用正硅酸乙酯(ETOS),乙醇(EtOH),水以及盐酸以一定的比例混合配制溶胶(其中盐酸为催化剂)。以普通浮法玻璃为衬底,用漫渍提拉法制备了厚度为100nm左右的SiO2薄膜。对其进行等温和等时退火,用台阶仪测定其厚度变化,给出经验拟合公式。研究了退火时透过率、折射率以及气孔率的影响,并做出比较详细的理论解释。
【Abstract】 The SiO2 films were fabricated on glass substrates by sol-gel dip-coating method after preparing the sol precursor mixed with ETOS, EtOH, H2O, and HCl at a proper proportion. The film thickness variation was observed after the isothermal and the isotime annealing on the films. An experienced formula was then simulated. Some detail explanation on the influence of anneal on the properties including transmittance, refractive index, and volume fraction porosity of the SiO2 thin films were also given.
【Key words】 anneal； sol-gel； SiO2 thin films； thickness； refractive index；
- 【会议录名称】 第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅱ
- 【会议名称】第五届中国功能材料及其应用学术会议
- 【会议时间】2004-09
- 【会议地点】中国北京·秦皇岛
- 【分类号】TB383
- 【主办单位】国家仪表功能材料工程技术研究中心、国家“863”计划新材料领域专家委员会、中国仪器仪表学会仪表材料学会、中国金属学会、中国稀土学会、中国复合材料学会、中国有色金属学会、重庆仪表材料研究所、北京有色金属研究总院、包头稀土研究院、钢铁研究总院、北京工业大学、燕山大学、山东大学、云南大学、上海交通大学、华中科技大学、天津大学、四川大学、湖南大学、大连理工大学、南京大学、清华大学、西南师范大学、北京科技大学、北京大学、厦门大学、中南大学、电子科技大学、重庆大学、福州大学、吉林大学、哈尔滨工业大学、武汉大学、西安理工大学、北京交通大学、西北工业大学、苏州大学、东北大学、复旦大学、武汉理工大学、浙江大学、北京理工大学、北京航空航天大学、中国科技大学、西南交通大学、南开大学、《功能材料与器件学报》编辑部、《功能材料》编辑部