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负偏压在碳纳米管生长过程中的作用研究
Study on effects of negative bias on growth of carbon nanotubes
【Author】 WANG Bi-ben, WANG Bo, ZHU Man-kang, ZHANG Bing, VAN Hui(1. College of Applied Mathematics and Physics, Beijing University of Technology, Beijing 100022, China;2. Thin Film Materials Laboratory, Beijing University of Technology, Beijing 100022, China)
【机构】 北京工业大学应用数理学院； 北京工业大学薄膜材料实验室；
【摘要】 利用负偏压增强热丝化学气相沉积系统,在沉积有过渡层Ta和催化剂层NiFe的Si衬底上制备得到了碳纳米管.研究发现,负偏压时NiFe层的裂解和碳纳米管的生长都有很大的影响.本文详细分析和讨论了负偏压在碳纳米管生长过程中的作用.
【Abstract】 Carbon nanotubes were prepared on a silicon substrate deposited with Ta buffer and NiFe catalyst layer by a negative bias-enhanced hot filament chemical vapor deposition system. It was observed that the cracking of the NiFe layer and the growth of carbon nanotubes were greatly influenced by the negative bias. Furthermore, the effects of the negative bias on the growth of carbon nanotubes should be discussed.
- 【会议录名称】 第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅱ
- 【会议名称】第五届中国功能材料及其应用学术会议
- 【会议时间】2004-09
- 【会议地点】中国北京·秦皇岛
- 【分类号】TB383
- 【主办单位】国家仪表功能材料工程技术研究中心、国家“863”计划新材料领域专家委员会、中国仪器仪表学会仪表材料学会、中国金属学会、中国稀土学会、中国复合材料学会、中国有色金属学会、重庆仪表材料研究所、北京有色金属研究总院、包头稀土研究院、钢铁研究总院、北京工业大学、燕山大学、山东大学、云南大学、上海交通大学、华中科技大学、天津大学、四川大学、湖南大学、大连理工大学、南京大学、清华大学、西南师范大学、北京科技大学、北京大学、厦门大学、中南大学、电子科技大学、重庆大学、福州大学、吉林大学、哈尔滨工业大学、武汉大学、西安理工大学、北京交通大学、西北工业大学、苏州大学、东北大学、复旦大学、武汉理工大学、浙江大学、北京理工大学、北京航空航天大学、中国科技大学、西南交通大学、南开大学、《功能材料与器件学报》编辑部、《功能材料》编辑部