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退火对NiCo薄膜各向异性磁电阻(AMR)的影响
Influence in anisotropic magnetoresistance of thin NiCo films by post-annealing
【作者】 季红； 季勇； 周萍； 郑鹉； 王艾玲； 姜宏伟；
【Author】 JI Hong, JI Yong, ZHOU Li-ping, ZHENG Wu, WANG Ai-ling, JIANG Hong-wei (Department of Physics, Capital Normal University, Beijing 100037, China)
【机构】 首都师范大学物理系；
【摘要】 用磁控溅射法制备了以NiFeCr和Ta分别为缓冲层的两种NiCo薄膜样品,在200、300、400℃温度下对两种样品退火.结果表明,不同的退火温度导致样品AMR值不同,在退火200℃时样品AMR值最大,超过200℃退火磁电阻急剧下降.xRD和摇摆曲线的结果都表明,退火后晶粒的平均晶粒尺寸都会长大,晶内缺陷减少.振动样品磁强计(VSM)测量的结果显示,退火后样品的磁矩有所减小,矫顽力增大,表明缓冲层与NiCo磁薄膜之间有扩散现象.
【Abstract】 NiFeCr(5nm)/NiCo(20nm)/Ta(3nm), Ta(5nm)/NiCo(20nm)/Ta(3nm)were grown with DC magnetron sputtering at room temperature on Si substrates.Samples were annealed in a vacuum in a 80kA/m magnetic field at room temperature TA after growth (TA=200℃, 300℃,400℃). The result indicates that the value of AMR reaches Its maximum at 200℃, then the value decrease dramatically when the temperature exceed 200℃. Both XRD and rocking curve show that enhance of AMR is due to the grain growth in the films.The interdiffusion increases with TA, resulting in lower Ms and higher Hc.
【Key words】 anisotropic magnetoresistancet texture； grain dimension； NiCo film；
- 【会议录名称】 第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅰ
- 【会议名称】第五届中国功能材料及其应用学术会议
- 【会议时间】2004-09
- 【会议地点】中国北京·秦皇岛
- 【分类号】TG156
- 【主办单位】国家仪表功能材料工程技术研究中心、国家“863”计划新材料领域专家委员会、中国仪器仪表学会仪表材料学会、中国金属学会、中国稀土学会、中国复合材料学会、中国有色金属学会、重庆仪表材料研究所、北京有色金属研究总院、包头稀土研究院、钢铁研究总院、北京工业大学、燕山大学、山东大学、云南大学、上海交通大学、华中科技大学、天津大学、四川大学、湖南大学、大连理工大学、南京大学、清华大学、西南师范大学、北京科技大学、北京大学、厦门大学、中南大学、电子科技大学、重庆大学、福州大学、吉林大学、哈尔滨工业大学、武汉大学、西安理工大学、北京交通大学、西北工业大学、苏州大学、东北大学、复旦大学、武汉理工大学、浙江大学、北京理工大学、北京航空航天大学、中国科技大学、西南交通大学、南开大学、《功能材料与器件学报》编辑部、《功能材料》编辑部