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RF反应溅射法制备NiFe/Al2O3/Co磁性隧道结研究
Fabrication of NiFe/Al2O3/Co magnetic tunneling junction by RF reactive sputtering
【Author】 ZHANG Wan-li, PENG Bin, TANG Xiao-li, JIANG Hong-chuan, ZHANG Huai-wu(School of Microelectronics and Solid-state Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, ChengDu 610054, China)
【机构】 电子科技大学微电子与固体电子学院；
【摘要】 采用RF反应溅射法制备了室温下TMR值达6.5%的NiFe/Al2O3/Co磁性隧道结.样品制备采用一系列的掩模,Al2O3层的制备采用RF反应溅射并原位热氧化方法,隧道结的面积为0.2mm ×0.2mm。样品的I-V特性曲线说明了样品中隧道效应的存在,利用XPS分析了样品界面特性及样品成分随膜厚的变化.
【Abstract】 NiFe/Al2O3/Co magnetic tunnel junctions with a maximum MR ration of 6.5% at room temperature have been fabricated by RF reactive sputtering method. The magnetic tunneling junctions are deposited through a series of masks. The Al2O3 is formed by RF reactive sputtering and continued for thermal oxidation in situ. The junction area is 0.04 mm2. The I-V characteristic of sample shows that the sample is a tunneling junction. The interface characteristic and composition of mutilayer sample are also analyzed by XPS.
【Key words】 magnetic tunneling junction； RF reactive sputtering； tunneling magnetoresistance；
- 【会议录名称】 第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅰ
- 【会议名称】第五届中国功能材料及其应用学术会议
- 【会议时间】2004-09
- 【会议地点】中国北京·秦皇岛
- 【分类号】TM27
- 【主办单位】国家仪表功能材料工程技术研究中心、国家“863”计划新材料领域专家委员会、中国仪器仪表学会仪表材料学会、中国金属学会、中国稀土学会、中国复合材料学会、中国有色金属学会、重庆仪表材料研究所、北京有色金属研究总院、包头稀土研究院、钢铁研究总院、北京工业大学、燕山大学、山东大学、云南大学、上海交通大学、华中科技大学、天津大学、四川大学、湖南大学、大连理工大学、南京大学、清华大学、西南师范大学、北京科技大学、北京大学、厦门大学、中南大学、电子科技大学、重庆大学、福州大学、吉林大学、哈尔滨工业大学、武汉大学、西安理工大学、北京交通大学、西北工业大学、苏州大学、东北大学、复旦大学、武汉理工大学、浙江大学、北京理工大学、北京航空航天大学、中国科技大学、西南交通大学、南开大学、《功能材料与器件学报》编辑部、《功能材料》编辑部