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Si衬底上La0.8Sr0.2MnO3/SrMnO3双层结构研究
Structural research of La0.8Sr0.2MnO3/SrMnO3 bilayers on Si （100） substrates
【作者】 杜永胜； 王波； 许仕龙； 于敦波； 李彤； 严辉； 张深根；
【Author】 DU Yong-sheng ,WANG Bo ,XU Shi-long, YU Dun-bo, Li Tong, YAN Hui, ZHANG Shen-gen(Laboratory of Thin Film Materials, Beijing University of Technology, Beijing 100022, China ;Grirem Advanced Materials Co., Ltd, Beijing 100088, China)
【机构】 北京工业大学材料学院薄膜材料与技术研究室； 北京有色金属研究总院；
【摘要】 利用磁控溅射方法在Si(100)衬底上首先生长SrMnO3(SMO)作为缓冲层,再沉积La0.8Sr0.2MnO3(LSMO)薄膜,得到(110)面择优生长的LSMO/SMO双层结构。利用X射线衍射仪分析了SMO缓冲层的结构特征对LSMO薄膜择优取向生长的影响;利用Rutherford背散射(RBS)分析了LSMO/SMO间的界面情况。结果表明:以SMO作为单一缓冲层时,不仅可以实现LSMO薄膜在Si(100)衬底上的(110)面的择优生长,而且LSMO/SMO的界面扩散现象也不明显。
【Abstract】 SrMnO3 buffer layers were pre-deposited on Si (100) substrates by RF magnetron sputtering, then La0.8Sr0.2MnO3(LSMO) thin films with a preferential (110) orientation were obtained on SrMnO3(SMO) buffer layers. The effect of SMO buffer layers on the preferential orientation of LSMO thin films was analyzed by X-ray diffraction (XRD) and the interface composition of the LSMO/SMO bilayers was characterized by a Rutherford backscattering spectrometry spectra (RBS). It was found that the preferential orientation of LSMO thin films can be acquired when single SMO buffer layers grown at 800℃ and the diffusion phenomenon on the interface of LSMO/SMO bilayers was not serious.
【Key words】 LSMO； SMO； preferential orientation； interface diffusion；
- 【会议录名称】 第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅰ
- 【会议名称】第五届中国功能材料及其应用学术会议
- 【会议时间】2004-09
- 【会议地点】中国北京·秦皇岛
- 【分类号】O484.1
- 【主办单位】国家仪表功能材料工程技术研究中心、国家“863”计划新材料领域专家委员会、中国仪器仪表学会仪表材料学会、中国金属学会、中国稀土学会、中国复合材料学会、中国有色金属学会、重庆仪表材料研究所、北京有色金属研究总院、包头稀土研究院、钢铁研究总院、北京工业大学、燕山大学、山东大学、云南大学、上海交通大学、华中科技大学、天津大学、四川大学、湖南大学、大连理工大学、南京大学、清华大学、西南师范大学、北京科技大学、北京大学、厦门大学、中南大学、电子科技大学、重庆大学、福州大学、吉林大学、哈尔滨工业大学、武汉大学、西安理工大学、北京交通大学、西北工业大学、苏州大学、东北大学、复旦大学、武汉理工大学、浙江大学、北京理工大学、北京航空航天大学、中国科技大学、西南交通大学、南开大学、《功能材料与器件学报》编辑部、《功能材料》编辑部