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氮化镓粉末的合成及其结构性质的研究
Study of Synthesis of GaN powders and its structural properties
【作者】 肖洪地； 马洪磊； 薛成山； 马瑾； 宗福建； 张希键； 计峰； 胡文容；
【Author】 XIAO Hong-di, MA Hong-lei, XUE Cheng-shan, MA Jin,ZONG Fu-jian, ZHANG Xi-jian, JI Feng, HU Wen-rong( School of Physics and Microelectronics, Shandong University, Ji’nan 250100, China; Institute of Semiconductor, Shandong Normal University, Ji’nan 250014, China)
【机构】 山东大学物理与微电子学院； 山东师范大学半导体研究所；
【摘要】 在950℃氮化温度下,通过β-Ga2O3粉末与流动的NH3反应35min制备出GaN粉末.XRD、XPS、FTIR、TEM的测量结果表明:GaN粉末是六角纤锌矿结构的单晶晶粒,其晶格常数a=0.3191nm,c=0.5192nm;在粉末表面,Ga和N两种元素比约为1:1;GaN晶粒的形状为棒状.
【Abstract】 Gallium nitride( GaN) powders have been synthesized by nitriding β-Ga2O3 powders in the flow of NH3 gas at a nitridation temperature of 950℃ for 35 min. Measurement results by XRD, XPS and TEM indicate that the synthesised GaN is of a single-phase hexagonl wurtzite structure with lattice constants a=0.3191nm and c=0.5192nm. GaN particle is a single crystal. The formation of bonding between Ga and N, and yields the surface stoichiometry of Ga:N of 1:1. The surface outline of GaN powder is rodlike.
- 【会议录名称】 第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅰ
- 【会议名称】第五届中国功能材料及其应用学术会议
- 【会议时间】2004-09
- 【会议地点】中国北京·秦皇岛
- 【分类号】TB383
- 【主办单位】国家仪表功能材料工程技术研究中心、国家“863”计划新材料领域专家委员会、中国仪器仪表学会仪表材料学会、中国金属学会、中国稀土学会、中国复合材料学会、中国有色金属学会、重庆仪表材料研究所、北京有色金属研究总院、包头稀土研究院、钢铁研究总院、北京工业大学、燕山大学、山东大学、云南大学、上海交通大学、华中科技大学、天津大学、四川大学、湖南大学、大连理工大学、南京大学、清华大学、西南师范大学、北京科技大学、北京大学、厦门大学、中南大学、电子科技大学、重庆大学、福州大学、吉林大学、哈尔滨工业大学、武汉大学、西安理工大学、北京交通大学、西北工业大学、苏州大学、东北大学、复旦大学、武汉理工大学、浙江大学、北京理工大学、北京航空航天大学、中国科技大学、西南交通大学、南开大学、《功能材料与器件学报》编辑部、《功能材料》编辑部