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掺杂ZnO薄膜研究
Research of doped ZnO thin films
【Author】 HAO Rui-ting, LIU Huan-lin, YANG Yu (Material Science and Engineering Department, Yunnan University, Kunming 650091, China)
【机构】 云南大学材料科学与工程系；
【摘要】 采用电子束蒸发方法在玻璃村底上制备ZnO薄膜和掺杂ZnO薄膜.通过X射线衍射、台阶仪及Hall效应等测试研究了衬底温度和掺杂对晶体质量和电学性能的影响,发现原位生长的ZnO薄沿c轴择优生长,且掺杂ZnO薄膜具有低达3.029×10-4Ω·cm的电阻率.
【Abstract】 Undoped ZnO thin films and doped ZnO thin films have been prepared by electron beam evaporation on glass substrates. The effect of substrate temperature and doping on the quality of films and electrical properties of thin films were investigated by the examination of X-ray diffraction and Hall effect. It is found that the thin films exhibit c-axis perpendicular structure to the substrate surface and ZnO thin films have a resistance ratio as low as 3.029 × 10-4 Ω · cm.
【Key words】 ZnO thin films； electron beam evaporation； electrical properties； X-ray diffraction analysis；
- 【会议录名称】 第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅰ
- 【会议名称】第五届中国功能材料及其应用学术会议
- 【会议时间】2004-09
- 【会议地点】中国北京·秦皇岛
- 【分类号】TN304
- 【主办单位】国家仪表功能材料工程技术研究中心、国家“863”计划新材料领域专家委员会、中国仪器仪表学会仪表材料学会、中国金属学会、中国稀土学会、中国复合材料学会、中国有色金属学会、重庆仪表材料研究所、北京有色金属研究总院、包头稀土研究院、钢铁研究总院、北京工业大学、燕山大学、山东大学、云南大学、上海交通大学、华中科技大学、天津大学、四川大学、湖南大学、大连理工大学、南京大学、清华大学、西南师范大学、北京科技大学、北京大学、厦门大学、中南大学、电子科技大学、重庆大学、福州大学、吉林大学、哈尔滨工业大学、武汉大学、西安理工大学、北京交通大学、西北工业大学、苏州大学、东北大学、复旦大学、武汉理工大学、浙江大学、北京理工大学、北京航空航天大学、中国科技大学、西南交通大学、南开大学、《功能材料与器件学报》编辑部、《功能材料》编辑部