【作者】 吴现成； 王博； 严辉； 陈光华；

【Author】 WU Xian-cheng;WANG Bo;YAN Hui;CHEN Guang-hua Department of Physics, Lanzhou University, Lanzhou, Gansu, 730000, China Department of Applied Physics, Beijing Polytechnic University, Beijing, 100022, China

【机构】 兰州大学物理系； 北京工业大学应用物理系；

【摘要】 着重研究了采用热丝辅助等离子体化学气相沉积+负偏压技术,在CN_x薄膜制备过程中各种工艺参数（射频功率、衬底负偏压和衬底温度等）对薄膜结构和特性的影响.采用本技术制备CN_x薄膜的最佳条件是:衬底温度500～600℃,反应气体总气压110Pa,CH₄与N₂的流量比为1:5.5,衬底负偏压为-200V,热丝温度1200℃,射频功率200W。更多还原

【Abstract】 It has been emphatically studied The Influences of technological parameters on the structures and propertiesof the CN_x films prepared on Si（100） by hot filament assisted rf plasma-enhanced with negative bias method. Theoptima for the preparation of high-hard CN_x films with this method are: substrate temperature 500-600℃, pressure ofreacting gas 110Pa. flow rate of CH₄ to N₂ 1: 5.5, substrate negative bias-200V, hot filament temperature 1200℃ andr.f,power 200W.更多还原