【作者】 王玫； 张德学； 黄安平； 王如志； 李健超； 王波； 严辉；

【Author】 WANG Mei;ZHANG De-xue;HUANG An-ping;WANG Ru-zhi;LI Jian-chao;WANG Bo;YAN Hui The key Laboratory of Advanced Functional Materials of Education China College of Materials Science and Engineering, Beijing Polytechnic University,Beijing, 100022, China

【机构】 北京工业大学材料学院新型功能材料教育部重点实验室；

【摘要】 本文利用感应耦合式等离子体化学气相沉积（PECVD）在Si（100）衬底上制备BN薄膜.反应气体为硼烷（B₂H₆）和氮气（N₂）,控制一定的分压比和工作气压,射频功率为100W,衬底温度在500℃到1000℃之间变化.主要研究了温度对BN薄膜取向生长的影响.利用傅立叶变换红外谱（FTIR）和原子力显微镜（AFM）对制备样品进行了表征,并对高温诱导BN薄膜取向生长的机理进行了研究.更多还原

【Abstract】 Boron Nitride thin films are prepared on silicon （100） wafers using radio frequency inducing-couplingplasma assisted chemical vapor deposition （PCVD） by controlling the partial pressure and the working pressure.Diborane（B₂H₆） and Nitrogen（N₂） are used as reactive gases, RF power is 100W and substrate temperature variesbetween 500℃ and 1000℃. Temperature effects on the growth of oriented h-BN are mainly studied. The samples arecharacterized by FTIR and AFM, based on these analyses, the mechanism of the growth of oriented BN films issuggested.更多还原