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多晶硅薄膜材料的准分子激光烧结制备与性能研究
Excimer-Laser-Annealing Preparation of Polycrystalline Silicon Thin Film and Its Properties
【作者】 邱法斌； 张玉； 骆文生； 刘传珍； 荆海； 黄锡珉；
【Author】 QIU Fa-bin;ZHANG Yu;LUO Wen-sheng;LIU Chuan-zhen;JING Hai;HUANG Xi-min Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Academy of Sinica, Changchun, 130022, China,Department of Electronic Engineering, Changchun, 130023, China
【机构】 中科院长春光学精密机械与物理研究所；
【摘要】 在玻璃衬底上采用PECVD法制备a-Si:H薄膜基础上,采用308nmXeCl激光器对所制备的薄膜进行了激光晶化烧结,利用XRD、Raman、SEM及电学性能测试等方法对所制备多晶硅薄膜材料的结构与性能进行了研究.
【Abstract】 Based on the a-Si thin film deposited by PECVD, polycrystalline silicon thin film was prepared by theexcimer-laser-annealing method. The structure and the properties were investigated by employing XRD, Raman, SEMand AFM.
【Key words】 Excimer-Laser-Annealing； polycrystalline Silicon； preparation； property；
- 【会议录名称】 第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集
- 【会议名称】第四届中国功能材料及其应用学术会议
- 【会议时间】2001-10
- 【会议地点】中国厦门
- 【分类号】TB383
- 【主办单位】中国仪器仪表学会仪表材料分会