【作者】 王卓； 孙大亮； 胡季帆； 许效红； 王栋； 王民； 王弘； 王春雷； 陈焕矗； 房昌水； 刘训春； 魏珂；

【Author】 WANG Zhuo;SUN Da-liang;HU Ji-Fan;XU Xiao-houg; WANG Dong;WANG Min;WANG Hong;WANG Chun-lei;CHEN HUan-chu;FANG Chang-shui;LIU Xun-chun;WEI Ke State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong University Jinan, 250100, China Department of Physics,Shandong University Jinan, 250100, China Microelectronics R&Chinese Academy of Science, 650Mailbox,Beijing, 100010, China

【机构】 山东大学晶体材料国家重点实验室； 山东大学物理系； 中国科学院微电子中心；

【摘要】 采用金属有机化合物分解（MOD）法制备出Bi₂Ti₂O₇介电薄膜.然后在560℃退火30min得到（111）取向的Bi₂Ti₂O₇薄膜.首次成功地对Bi₂Ti₂O₇薄膜进行了反应离子刻蚀,使用的气体分别为氧气（O₂）、六氟化硫气体（SF₆）、三氟甲烷气体（CHF₃）以及SF₆/CHF₃混合气体.采用原子力显微镜和X射线衍射对退火前后的Bi₂Ti₂O₇薄膜的形貌和结构进行了对比分析.结果表明,退火前Bi₂Ti₂O₇薄膜为多晶薄膜,晶粒间距松散,无定型取向.退火后的薄膜中,结晶微粒排列紧密,呈现出较强的取向性.原子力显微镜图像还显示出薄膜生长的各向异性.更多还原

【Abstract】 Bismuth titanate thin films have been prepared on silicon substrates by metal-organic deposition （MOCVD）method. The growth procedure of the Bi₂Ti₂O₇ thin films using O₂, SF6,CHF3 and SF6/CHF3 gas mixture respectivelywere alsostudied by changing the etching gas composition, pressure, flux and power in a parallel-plate reactive ionetcher. The thickness of the Bi₂Ti₂O₇thin films was measured by using Dektak Ⅱ step-meter. And the uniformity of thethickness of the thin film on three inches silicon plate was also detemined. The surface morphology and growthmechanism of the Bi₂Ti₂O₇ thin films were studied by atomic force microscope （AFM）. It is elucidated that Bi₂Ti₂O₇film obviously has its growing anisotropy after annealing at 560℃.更多还原