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Φ75mm Bi2Ti2O7介电薄膜的制备及物理性能研究
Preparation and Physical Properties of φ75mm Bi2Ti2O7 Thin Films
【作者】 王弘； 姚伟峰； 候云； 王栋； 张寅； 许效红； 尚淑霞； 余金中；
【Author】 WANG Hong;YAO Wei-feng;HOU Yun;WANG Dong;ZHANG Yin;XU Xiao-hong;SHANG Shu-xia;YU Jin-zhong State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University Jinan, 250100, China State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Beijing, 100084, China
【机构】 山东大学晶体材料国家重点实验室； 中国科学院集成光电子国家重点实验室；
【摘要】 Bi2Ti2O7介电薄膜具有较高的介电常数,可用于制备新型绝缘栅场效应器件。我们采用化学溶液沉积法制备了φ75mm Bi2Ti2O7,介电薄膜,介电常数大于123,厚度不均匀性少于5%,外加10V电压时,各点漏电流小于5×10-8A/cm2,表明Bi2Ti2O7,介电薄膜绝缘性高、介电常数和厚度均匀,适合于制备新型绝缘栅场效应器件。
【Abstract】 Bi2Ti2O7 thin films have reletive high dielectric constant. It can been used for making the new insulatinggate field effect transistor.We have prepared Φ 75mm Bi2Ti2O7 Thin Films by chemical solution depositiontechnique, it’s dielectric constant higher than 123, the nonuniformity of thinkness is less than 5%. The leakagecurrent is less than 5×10-8A/cm2.These results show Bi2Ti2O7 thin films have high insulating properties and suitablefor making FEFETS devises.
- 【会议录名称】 第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集
- 【会议名称】第四届中国功能材料及其应用学术会议
- 【会议时间】2001-10
- 【会议地点】中国厦门
- 【分类号】TB43
- 【主办单位】中国仪器仪表学会仪表材料分会